Solar grade Silicon & scrap
○太陽電池用ウェハー
　単結晶＆多結晶
○太陽電池材料用
　シリコンスクラップ品
　リサイクル品

　我々は、シリコンスクラップ材料をリサイクル（分離・回収・精製）し、純度の高い製品レベルの材料に戻す
　研究・開発を進めています。
　特に、リサイクルが難しいと言われている切粉（パウダー）のリサイクル技術については力を入れています。
　シリコンパウダー・リサイクルシステムの完成間近です。
　どのような廃シリコン材料であってもリサイクル方法を検討し、実現させます！
　以下に紹介している各種スクラップ材料も総てリサイクル対象となります。

　各種太陽電池材料（含スクラップ品）を提供いたします。
　昨今の太陽電池向けシリコン不足を補うためスクラップを原材料に転用することが目的です。
　あくまで、現状のシリコン不足状況を補填する緊急措置です、ご理解ください。

　＜弊社会員限定、会員登録希望の方は随時お問い合わせください＞

　（６Ｎ以上品、１１Ｎ品）

　・トップ＆テール
　・ポットスクラップ
　・粉砕シリコン
　・再生落ちウェハー

　何れも太陽電池の材料となります。


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　２００８年１０月度、太陽電池材料（シリコンスクラップ）情報です。
　太陽電池材料の製造に助力できるよう、情報をご提供いたします。
　以下資料ご参考とされてください。
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太陽電池向け、単結晶・多結晶シリコンウェハーを紹介します。
何れもソーラーグレード（純度＞６Ｎ）になります。
ご興味ありましたら随時お問い合わせください。

体積抵抗率の定義
シリコン等の材料の導電性を測定する場合は、一般的に抵抗（Ω）を用います。
この抵抗を単位体積（1cm×1cm×1cm）当たりで示した値を体積抵抗率といいます。
（Volume Resistivity，Ω-�p）
この値は物質に固有の絶対値であり、
断面積Ｗ×厚みｔに一定電流Ｉ（Ａ）を流し、距離Ｌだけ離れた電極間の電位差Ｖ（Ｖ）を
測ることにより求められます。

四端子法と二端子法
実際に試料の体積抵抗率を求める時には、四端子法と二端子法の電極構成が用いられます。
これは、一定電流を流し込むところ（電流電極と試料表面との間）で、
界面現象のために接触抵抗と呼ばれる電圧降下が生じるため、それを排除し、
サンプルの真の体積抵抗率を求めるために用いられている手法です。
四端子法では、電流印加端子と電圧測定端子とを分離することにより、
接触抵抗の影響をとり除き、高精度な測定が可能になります。

四探針法と四端子法
四探針法は、試料に４本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定電流を流し、
内側の二探針間に生じる電位差を測定し抵抗を求めます。
次に求めた抵抗（Ｒ、単位：Ω）に試料の厚みｔ（cm）と補正係数ＲＣＦ（Resistivity Correction Factor）
をかけて体積抵抗率を算出します。
四探針法で正確に抵抗率を測定するには、厚みｔと補正係数ＲＣＦのファクターが必要となります。
四探針法と四端子法とでは、測定系は共通であり、試料と接触する電極部分のみが異なります。
四探針法はプローブ（四探針電極）を試料に押し当てるだけなので大変便利な測定方法です。

四探針法での注意点
注意したいのは、測定原理を踏まえた正しい使い方をしないと正確な抵抗率は得られないとことです。
四探針法は、厚みｔと補正係数ＲＣＦを入力した換算値であることに留意しなければならないことです。