目標
実験１２で超光速の円偏向電磁場に磁場変調を掛けてみたが、 まだ磁場強度が足りないか、他にも条件が必要な気がする。 円偏向電磁場の電圧はある程度到達していると思う。 再度条件をいろいろ変えて核電気共鳴の検証を行う。
製作理念
実験１２の駆動装置の問題として２相目の電圧が低いと言う問題があった。 ２相目が１−３相目に比べて不利な配置になっていため電圧が上がらなかった。 初期に決定した配置は変更するのは難しいため、１年半検討しても良い結果が 得られなかった。どちらかというと無駄ではなかったが、失敗に近い。 この反省から理想に近い配置をじっくり考えることにする。 電子機器などを製品化する場合、性能を左右するキーパーツの配置や電源、 基板配置、そしてその中の半導体の配置は全体の性能を決定する。 試作して最初に決定した配置を変更するのは性能が悪かったり、不具合を抱えている からで、結果として無駄な試作ということになる。 経費や工数を必要以上に使い、販売時期を遅らせ、妥協した性能では 評判が悪く売り上げが伸びない。ユーザーに感動も呼び起こすこともない。 まして、グッドデザインなど取れるはずがない。 経験から、初期にじっくり考えて決定した製品は、結局は最短時間で販売していた。 最初に時間を取ることは無駄ではない。あとは一気呵成に作ればいいだけで、 性能も良く、不具合もなく、使いやすく、耐久性も良く、アフターも楽で、 問い合わせも少ない。 思考不足の出たとこ勝負の製品は劣勢を強いられ、 評判も悪く事業部もろとも泥船のごとく沈没していく。 さて、前回の実験では磁場強度が足りないと思うので、ディスクを包含するような 鉛直磁場コイルを新規に製作する。
予備実験
理想に近い配置を考えると駆動装置のトランジスター配列は 球形コンデンサーの側面近傍に移したいが、 鉛直磁場コイルが大きくなるためそれは難しい。 三相交流発振器やドライバーはディスクの下の中央に配置し、 PowerMOSは球形コンデンサーの直下に置く。 そうすると三相交流発振器やドライバーが静磁場に晒される。 これによる悪影響がないか確認してみた。 直径7cmの200ターンのコイルに直流を4A流し、直近に近づけて 回路動作をみたが、発振停止や位相がずれるといったことはなく、 正常動作した。磁界の強さとしては中心で143Oeである。 懸念されるのはインダクターがいくつかあるので、 これらが磁気飽和して正規の動作をしなくなることだ。 アダムスキー型円盤でも大きな鉛直磁場コイルがあり、 その影響は宇宙機全体に及ぶだろう。いろいろな機器があると思うが、 異常動作するような強力な磁場を使わないか、回避しているものと思われる。 第一、人間が乗るのだから危険な磁場強度ではないはずだ。 02/01
鉛直磁場コイルは直径20cmを考えた。 ホルマル線の1.0φは0.785sq、許容電流13Aである。 26.5mのものが手元にあり電流10A 7Vで実験すると発熱が大きく 5Aくらいがいいところであった。0.0264Ω/m、6.98g/mである。 売っているのは1kgのボピン巻きで130m 3.43Ωになる。
ホルマル線1.2φでは1sのボピン 95m 1.74Ω 許容電流16A 推定0.0183Ω/m
磁界の強さ1000Oeとすると電流10Aでは
NI
H=─── (AT)
2a
N×10
1000×80=───
2×0.1
N=16000/10=1600ターン
断面積約50×50mm
長さ=2π×0.1×1600=1005m 18.39Ω
1kg巻きのボビン11個は要る。電源電圧は184V,10Aになり 約２キロワットで簡単には実現しない。 ボビン2個分ずつ並列駆動して3.5Ωに40V掛けるのは可能だが、 40V10Aの電源が５台も要る。
1000Oeは欲張り過ぎか？ 02/08
それではアダムスキー型円盤ではどうなっているのか計算してみると、
客室直径は6.2mなので、鉛直磁場コイルは6.5mはある。1000Oeだったら、
巻き数Nを100回とすると
100×A
1000×80=───
2×3.25
A=5200アンペアとなる。 長さは2042m、発熱を考え1sqあたり6.40Aくらいとすると断面積816.4mu、 銅単線直径32.2mmで0.0518Ω、270V掛ける必要がある。 電力は1402KWとなる。重さ14.9トンである。これでは電気を食うし重すぎる。 超伝導コイルなら電気も食わないし、軽くて良いが冷却装置も要るし、 窒素やヘリウムの補充も必要だ。 冷却に時間が掛かるため飛ぶまで待たされてしまう。 起動はガソリンエンジン並みの３秒以内としたい。 また、超伝導が破れるといきなり墜落だから信頼性にも懸念が出る。 通常のコイルと併用するのが良いと思うが。 100Oeだったら、1/10になるが熱攪乱に負けそうだ。 約400Oeと見当をつけるとして、ボビン8個分であれば400Oeは可能だ。 02/15
鉛直磁場コイルはアルミ製のパイプでガス冷却式と思われる。 親切にも挿絵には断面が描かれている。３つあるうちの１つと 思われる。画像からその断面は22×116cm。総断面積は7656cuである。 アルミの導電率は銅の0.633倍なので1000Oeとしたとき直径40.5mmである。 パイプにして絶縁物を入れれば直径90mmは必要だ。 すると平巻きとした巻き数は95回になる。直感した推定と大差ない。 重さは7.1トンになる。妥当な重さと思う。 02/22
鉛直磁場は大きくても1000Oe程度と思われるが、一方、印加する高周波は 実験１１で駆動素子を増やすと臨界周波数が上がる現象があった。 その差分からチタン酸バリウムディスクの電荷は１相あたり3750pF 存在することが知れた。 ディスクの面積は169.65cuから単位面積あたり66.31pF/cuである。 すべての電荷を制御下に置いたときの駆動電流は１相あたり48.2Aになる。 同様にアダムスキー型円盤ではどうなっているのか比例計算してみると、 面積184.89uであるからその1/3の面積では40.87μFである。 臨界周波数は371kHzであるから駆動電流は１相あたり4520Aになる。 電圧は圧電定数ｄ(約200×10の-12乗m/V)に基づいた電圧を印加すればよいが、 動く大きさとして最低１分子分(格子定数 a=b=3.992Å, c=4.038Å) は必要で、95%の面積に効果が出るとき実験機では440Vであった。 駆動電流として48.2Aであればインピーダンス100Ω程度だから 完全な駆動にはこの10倍の4820Vという電圧が必要だ。 すなわちアダムスキー型円盤では球型コンデンサー中央間の円周は28.1mあり、 実験機は326.7mmなので、86倍はありその電圧は415000Vとなる。 電力として324万KWというパワーが必要となる。 03/01
印加する高周波として臨界周波数近辺はかなり検討して、状況がわかってきた。 条件をいろいろ変えるとして、もう少し低めの周波数を検討する必要がある。 従来のPowerMOSによる実験１などは電送線路駆動で直接駆動ではないため 本来の駆動とは言えない。 そこで、実験４．５の駆動装置を出してきて実験１２の上物を外して据え変えた。 7MHz,1MHzのパルス発振器を簡易的に作って駆動してみた。 しかし、回路やマッチングが高周波向きの設計のためヒゲ状の波形になって、 まともな三相交流ではない。電圧は200Vp-pは出るがこれではダメだ。 さらに低周波発振器を使って無理を承知で1MHz以下の駆動してみたが、 実験中に火花が２回出た。回路は動作しているが、 消費電流が下がったのでどこかOPEN破損したみたいだ。 やはり、新規に製作し、今までの問題点を改良に結びつけることとする。
１．PowerMOSの入力が不足しているので、ドライバーの電圧を別にして上げる。
２．加算・減算式の位相補正回路を入れる。
３．三相交流発振器は分周せずに正弦波発振器にする。基準は水晶とする。 03/08
PowerMOSとドライバーの配置を検討した。 素子４つの回路面積はドライバー強化で140mm×65mmは必要だ。 そして、これが２セットの８素子の構成としたい。 PowerMOSはリニヤ用とスイッチング用のどちらも使いたい。 ボール紙の方眼紙を６枚切り出して配置を検討してみた。 １２０度のＹ結線状にすると空芯コイルと球形コンデンサーとの 配線が長くなる。一見理想の配置に思えたが、 この長さが10cmを越えると泥沼化するので不可だ。 品字状に配置すると最適と思えた。 実験１１でこの配置としておけば性能が出たものと悔やまれる。 ベースのアルミ板も大きくはならない。 03/15
製作
ベースのアルミ板、銅板２枚、実験基板２枚を購入した。 アルミ板は5mmのものにした。前回、タップのネジ山破損が多かったので 厚みを増やした。ついでに水晶発振器307.2KHz,2.4576MHzを格安で購入した。 03/22
PowerMOSとドライバーの配置を品字状に配置すると 三相交流発振器からドライバーへの配線は均等にならず、 長くなる。今回は空芯コイルと球形コンデンサーとの 配線を優先する。ドライバーの電圧は24Vにする。 加算・減算式の位相補正回路はプリドライバーに組込みとする。 三相交流発振器の増幅段は周波数が低いので１段で行く。 今までに検討してきた実験基板が幾つかあるが、部品は流用できる。 昔は、高価なハーメチックシールのタンタルコンデンサーなど 多用していたものだ。 03/29
上記に基づき回路図を作成した。 04/05
三相交流発振器と基準発振器を作成した。 三相交流発振器の火入れテストを行った。 フリー発振させたところ27nsecで動作した。位相も120度ずれており、 正常動作している。トランジスターは高周波用のなのでかなり速い。 基準発振器に水晶発振器307.2KHz,2.4576MHzを取り付け動作させた。 特に難しいことはなく、動作した。しかし、出力が矩形波である。 これら２つの実験回路を接続し、 三相動作させたところ まともに動作していない。基準発振器の数倍の動作をしている。、 そこで、32MHzの基準発振器に交換して、三相動作させると正常動作している。 やはり、三相交流発振器の応答速度を下げる必要がある。 04/12
三相交流発振器の応答速度を下げるため１段目の電流を1/10にした。 しかし、これだけでは数倍の発振が残ってダメなのでさらに鈍らせた。 一応、三相交流発振動作はするようになった。 三相波形出力がまちまちなので改善したいが、 問題として基準発振器の波形整形出力が鋸波になっていることに原因がある。 これを正弦波にする必要がある。 04/19
基準発振器の波形整形出力を正弦波にすべく、ローパスフィルターを 入れた。かなり正弦波に近くなって三相交流発振動作も位相が合うようになった。 しかし、波形出力がまちまちで揃っていない。もう少し検討が必要か。 04/26
波形出力がまちまちで揃っていない原因はトランジスターのバラツキ であった。交換した。また、動作が不安定なので銅板に取り付けた。 さらにゲインを1/56に下げた。安定度は飛躍的に改善した。 しかし、まだ２相目が歪んでいる。 ローパスフィルターを検討し、基準発振器の出力をさらに 正弦波に近くしたところ、まずまずの波形になった。 入力過多にすると当然歪むので各相のゲイン配分を調整した。 最終的にはPowerMOSで１００倍くらいに増幅するわけなので、 歪んでいたり、位相が合っていないと後々問題になる。 回路としては100MHzでも動作するものを定数変更して 307.2KHzで動作させているので、定数変更だけで 任意の周波数で動作する三相交流発振器になっている。 周波数変更は簡単だ。 05/03
加算・減算式の位相補正回路を１つ作成した。 入力6Vp-pに対し２倍の正相12Vp-pプリドライバー出力が得られた。 回路設計としてカットアンドトライは必要であった。 位相補正として加算入力してみたが15°くらいは遅らせることができた。 別の相を加算すれば15°くらいは進ませることができる。 減算は不要であった。回路素子は削減した。 この回路は電源のフィルターやコンデンサーを しっかり入れないと波形が汚くなる。 しかし、高周波特性が良いからといって積層セラミックを入れても 発振気味になってケミコンだけの方が良いこともあった。 05/10
加算・減算式の位相補正回路を残り２つを作成した。 通電テストし、１つ目と同様の性能を得た。 トランジスターは高周波用とは言いつつピン配列が違うため 実装ミスしやすい。 05/17
ドライバー回路を製作した。コレクター損失が大きくなるので、 1W 程度のヒートシンクを付加した。続いてPowerMOSを１つ 小さめのヒートシンクに取り付け 空芯コイルと負荷コイルを付けて発振テストを行った。 PowerMOSの入力とバイアスを調整すると 0.1μsecのパルス巾で400Vp-p程度得られた。 まずまずのドライブができている。 この周波数では素子の性能が充分なためパルス巾が狭すぎる。 空芯コイルと負荷コイルの巻き数が不足しているようで、 巻き数を増やしたがまだ足りないか、材質が合っていない。 05/24
| 予備実験回路 | 
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負荷コイルの材質を変更し、透磁率の高い77材にした。 巻き数を増やし72ターンにすると0.34μsecパルス巾で200Vp-p程度得られた。 バイアスを下げると0.8〜1μsecになって電圧は100Vp-p程度になる。 ドライバーの電圧を２倍にしているのでドライバーの発熱が大きい。 電流を1/4に減らして動作させたが、それほど変わりなく駆動できる。 実際にディスクを接続してみないと何とも言えないが。 回路検討の時間が多い。 05/31
もう少し正弦波に近くならないか検討した。 まだインダクタンスが足りないようなので、電源トランスとか スライダック(単巻きトランス)をつかうとパルス巾が広くなった。 しかし、ドレイン電流を大きくするとパルス巾は狭くなってしまう。 これだけ大きいインダクタンスにしても パルス巾には限界があるようで、この方式ではこんなものかも知れない。 パルス巾が狭いと円偏向電磁場にジッターが発生し、スピン制御が おかしくなる。しかし、三相交流で駆動するため平面を３点支持 するようなもので、基礎実験としての駆動はできるだろう。 06/07
UFOの鉛直磁場コイルに飛行機等で不用意に近づくと 安っぽいアルミ合金の機体に巨大な電流が流れて危険だ。
磁場の強度400Oe(空気の透磁率1として0.04テスラ)のUFOの下を 翼の一部1mが300m/秒で横切ったとき、フレミング右手の法則で簡易計算すると
e=blv
e=0.04×1×300
e=12Vの電圧が発生する。
小さい電圧と思うが、電流を計算してみた。 たとえばホルマル線の1.0φは0.785sq、許容電流13Aというものは 電流10Aで実験すると発熱が大きく、熱くて触れなかった。 5Aくらいがいいところであった。10Aのときの電気抵抗は0.0264Ω/m。 1sqあたり0.0207Ω/mである。 アルミの導電率は銅の0.633倍なのでおよそ0.0327Ω/mになる。 すると12Vの電圧が印加されれば単位断面積(1sq)に367Aもの電流(許容の36倍)が流れる。 この状態ではヒューズが飛ぶように瞬間的に破断するだろう。 鉛直磁場コイルの電力は1000KW以上あるので アルミ合金の翼の通過くらいでは磁場強度は低下しない。 元々、飛行機は設計そのものが『鳥のまね』であり、 アルミ合金の翼の強度は自重を支える数倍程度しかない。 これに対し円盤機関は核電気共鳴によるスピン制御であるため 数100G程度の急激な加速に耐えられる構造になっている。 彼らは翼の中にガソリンといった爆発的な可燃物が詰まっている とは思わない。自分らと同様の仕組みで飛んでいる と思いこんで近づいてくるため要注意だ。 こちらから近づくのはもちろん、至近距離まで近づくべきではない。 06/14
実験
単なる単相の発振テストではつまらないので、暫定回路を組み上げて 三相交流でディスクを駆動することにした。 ドライバー回路の残り２つを製作した。 空芯コイルと負荷コイル(75ターン)も２つ追加製作した。 実験４．５の駆動装置から電源フィルターと PowerMOSの入力バイアス回路を移植し、回路変更した。 PowerMOSも残り２つを小さめのヒートシンクに取り付け 発振テストを行った。ところが、電源を入れると保護回路が働く。 配線ミスやハンダ不良も多い。 いろいろ調べたらPowerMOSの入力バイアス調整のボリウムが オープン気味の不良のようで、過電流が流れていた。 代替えがないので半固定ボリウムにして調整すると 異常な動作もせず、最初から位相が合った波形が得られた。 周波数が低いということもあるし、技術レベルもいくらかは向上したか。 たいていは電圧が出ないのだが。 PowerMOS１つで0.8μsecパルス巾で125〜150Vp-p程度である。 波形の撮影は球形コンデンサーの各相の電圧を当たり３回露光したものであるため バルスの波形の下にアンダーバーが入ったように見える。
| 暫定回路駆動 | 
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PowerMOSは波形が鈍ることを期待して電流が大きい2SK1500にした。 電源電圧は24Vなので、もっと電圧を上げれば高い出力が期待できるだろう。 ディスクは大きな負荷にはなっておらず、発熱もしない。 06/22
電源電圧を上げるべく、24V用の安定化電源を小屋裏から降ろし、 配線を独立させ24Vを供給した。実験してみると正常動作した。 PowerMOSの電源電圧を上げつつ調整すると、60Vで300Vp-p出た。 もう少しと思った瞬間バチッと破損音がして保護回路が動作した。 ２相目のPowerMOSのドレインとソースが短絡破損した。 Ｖdssが500Vだったので無理をしたようだ。 この素子はスペアが無いため続けての実験はできない。 そこで、実験４．５の駆動装置からPowerMOSを外して 実験を継続した。バルス巾は狭くなったものの電圧は高い。 電源電圧が60Vで400Vp-p出た。しかし、またもや 破損音がして保護回路が動作した。３相目が短絡破損した。 素子の値段が安いので気にせず交換する。 ディスクを接続してみたが、やや負荷になって300Vp-pになった。 素子１つでまずまずの結果だ。球形コンデンサーをネオン管で 探ると点灯したが、ピンクではなく、オレンジ色の光になっていて エネルギーが低いことがわかる。 PowerMOSは４つは不要かもしれない。 この実験は暫定のままか? 06/28
PowerMOSを各相２つに増設すべく、ヒートシンクを２倍の大きさのものにした。 実験４．５の駆動装置からPowerMOSを外して取り付け、 ６ターンの空芯コイルを間に入れた。 装置としては増築を繰り返した古い旅館のようで、ごちゃごちゃしていて 良くない。避難できずに煙に巻かれそうだが、性能は出ていて 実質は実験できるのでそのまま配線確認する。 なお、ドライバーは１つで試した。 ディスクを接続すると電源電圧70Vで400Vp-p出た。 異常動作もなく安定していて、位相ずれもない。 そこで、350Vp-pで下写真を撮影した。
| 307.2KHz 各相PowerMOS２つの三相交流駆動 | 増築を繰り返した駆動回路 | 
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しかし、数分したら破損音がして３相目のドレインとゲートが２つとも短絡破損した。 バイアス回路が単純であること、過電流になっても保護回路で瞬時に電源が切れるため Power素子だけの被害に止まった。 やはりチタン酸バリウムディスクの駆動400Vp-pは厳しいのか。 素子としてはスイッチング電源用なので、チタン酸バリウムディスクなどというものを 駆動するためのものではない。リスクは付きものなので気にせず交換する。 球形コンデンサーの電圧は復帰した。短時間なら400Vp-pは実現できた。 電圧が上がってもネオン管の輝きはオレンジ色のままだ。 07/05
PowerMOSによる直接駆動として307.2KHzにて350Vp-p駆動が できるようになったので、スピン制御が効くか実験してみた。 静磁場として鉛直磁場コイルの替わりに厚さ7mmの異方性フェライト磁石を ディスク底面に貼ってみた。１つから５つまで増やした。 しかし、目立った変化はない。 底面に３つ、上面に２つにしてみた。 磁場の強さとしては上面の２つを逆極性にすると2cmで浮くくらいの 反発力であった。このときも特に変化はない。 そこで、基準発振器を外して低周波発振器をローパスの後ろに接続 して100KHzから1MHzまで可変できるようにした。 三相交流発振回路としては問題なく追従した。 分周しない回路を採用した成果だ。 しかし、500KHzにて220Vp-p 650KHzにて100Vp-pに低下する。110KHzでは200Vp-pになる。 フェライト磁石は底面１つから５つまで、また底面に３つ、上面に２つ まで変えてみたが特に変化はない。 07/12
06/14分追加更新 07/19
周波数が100KHzから1MHzまで可変できるようになっているので、 可変させて調べると、345KHzと400KHzにディップがある。 345KHzで30Vp-p、400KHzでは50Vp-pほど電圧が下がる。 空芯コイルと負荷コイル(75ターン)の共振点のような気がするが。 フェライト磁石を増減させても周波数の変化はごくわずかだ。 この部分は核スピンの影響なのか調べる必要がある。 07/26
ディップはもっと低い周波数にもあるが、回路の不安定さにもよる。 この不安定な状態は位相もしっかりとは合っていない。 電源電圧の依存性もあって1/5発振が含まれている。 しかし、フェライト磁石をテグス糸で吊し、 近づけてみると電圧がわずかに変化する。 浮遊容量の変化で起きているのか、核スピンの影響なのかは確証がない。 そこで、円偏向電磁場の回転方向を逆にしてみた。 すると、変化の大きさが２倍程度に大きくなった。 核磁気共鳴では単に平巻きコイルで電磁波を与えるだけなので、 スピンが乱れるだけだが、 円偏向電磁場の場合はスピンと円偏向電磁場の回転方向が影響し合うはずだ。 ここが、核磁気共鳴と核電気共鳴との明確な違いである。 回転方向で差が出たということは３つの球形コンデンサーで 核スピンを強制駆動していると言える。 フェライト磁石を増加するとごくわずか周波数が上がるようだが、 理論とは合っている。現状では電源電圧の依存性や不安定な状態なので これを改善する必要がある。 08/02
不安定な状態について調査した。三相交流発振回路、位相補正回路、 ドライバー回路は異常なく、PowerMOSのゲートで歪むことがわかった。 ディスクをはずしても周波数が低めになるだけで、回路の問題のようだ。 電源を切るとドライブ波形は歪まなくなる。 PowerMOSに電圧を掛けて動作すると起こる現象か。 ドライバーの電流を２倍にするとかえって悪くなるのでドライブ不足でもなさそう。 ディップの発生するところでディスクからキーキー音が出るが、 テグス糸で吊したフェライト磁石が揺れると変調が掛かるといった こともあり、もう少し実態調査が必要だ。 08/09
このサイトをアップしてから明日で１０年目になる。 進化したかと言えば、いくらかは進んだと思う。 PowerMOSのゲートで歪むことについて検討すると、 バイアス不足があった。もっと深くすると歪みは減る。 しかし、無理すると素子が一瞬で破壊する。 対周波数でバラツキがある。 深くするとディップの周波数も数10KHz下がる。 球形コンデンサーの電圧ではなく、ディスクの下に簡単なコイルか、 プローブのみで漏れ電圧を探ってみた。 ディップの周波数の近傍あたりでテグス糸で吊したフェライト磁石が 揺れるとわずかに電圧が変化する周波数が存在する。 08/16
フェライト磁石を近づけるとわずかに電圧が減るということは 磁場強度が上がって周波数が上がったことになり、 回転速度が上がってエネルギーを吸い込んだことになる。 つまり、スピン加速したことになる。 円偏向電磁場で核スピンを制御するとして、 磁場強度をそのままにして周波数だけを上げ下げする とエネルギーずれが発生することだが、 加速も減速もやってみる価値がある。 さらに高電圧にして急速回転停止、急加速、あるいは逆回転も試すことが必要だろう。 超光速では例外的なスピン状態があり得るとすれば 超光速逆回転もおもしろい。 本実験によれば電荷速度が超光速になっても多少は 円偏向電磁場を保てることがわかっている。 慣性モーメントを無視したような制御をすれば エネルギーを持った原子核は光を発するかもしれない。 08/23
確認として円偏向電磁場だけで核スピンを制御しているか 確認のためフェライト磁石をディスクの下から外して 駆動してみた。吊した鉄箔は吸い寄せられることはなく、 鉛直磁場は発生せず、核スピンを制御していない。 やはり鉛直磁場と円偏向電磁場は同時に必要なものと思われる。 そこで、鉛直磁場を傾斜させるためにフェライト磁石より 強力な希土類磁石を近づけてみた。金属体なので 別の影響もありはっきりしたことは言えないが、 電圧の変化はフェライト磁石よりは大きい。 08/30
現状の直接駆動方法では目立った効果は無く、電圧不足は否めない。 鉛直磁場と円偏向電磁場は同時に必要なものだとして、 磁場強度をそのままにして周波数を上げ下げしても 共鳴するかどうかでしかない。 実験１２では42.9545MHzといった超光速まで上げた電磁場に 変調磁場＋静磁場を重畳させても効かなかった経緯がある。 つまり、鉛直磁場を掛けたまま周波数を上げても核スピンは 簡単には追従しないということだった。 核スピンを制御可能な状態にするには もっと電圧を上げるか他にも条件が必要だと思う。 09/06
電圧を上げるべく負荷コイルを変更して、伝送線路形式で試したが 電圧は上がらない。そこで、タップを設けてそこをPowerMOSでドライブ すると約20%の向上があった。ＤＣ的につながっているため隣の相の電荷も 抜きつつ昇圧されて上がったと考えられる。 三相交流の位相も保たれたままであった。 波形の底に0.4μsec程度のリンキングが少し出る。 さらに昇圧率を大きくするとこのリンキングが暴れだし、正常とは言えない。 限度としてはこんなもんだろう。 09/13
リンキングが少し出るのはタップを設けたためインダクタンスが減少して いると思い、１．５ｍ巻き数を増やしてみた。しかし、リンキングの暴れは 同じように大きい。昇圧率には限度がある。 空芯コイルを外してみるとやはり不安定になり、削除はできない。 各相の周波数特性はバラツキがあり、電圧差が50Vp-p程度生じる。 負荷コイルのバラツキか。 09/21
負荷コイルの配線が7cmと長いので3cmまで短くした。 フェライト磁石に指を1mm程度まで近づけると やや暖かいというか、ふわふわした感じがある。 フェライト磁石に触れてもビリッと感電することはない。 陽子(プロトン)が核電気共鳴反応しているように思える。 09/27
フェライト磁石に指を近づけたまま上から逆極性にした フェライト磁石で挟むようにしてみた。 磁場が弱くなってスピンが反応しなくなるはずだ。 やはりじわっとした感じは薄れた。 ディスクの中心の30mmの穴でも同じ感じがする。 10/04
念のためフェライト磁石をすべて剥がして ディスクを駆動するとやや暖かい感じはなくなった。 やはり磁場が介在しているようだ。 スピンが反応しなくなるのだろう。 もっと低めの周波数で確認したいので、下げてみたが 位相がずれてしまい実験にならない。 いろいろ調べたら発振回路に問題があった。 ゲインを下げたり、もっと鈍らせたりしたが改善はしない。 まず、１相目の歪みが良くない。いくら調整しても限界があり、 検討不足だったことが、今露呈している。 回路構成から見直す必要があるか。 10/11
位相ずれは同期回路が悪いのかと思い、 基準信号と三相交流発振回路に 加算形式の回路を組み込んだが改善しない。 周波数を下げるとゲインが落ちるので、 カップリングコンデンサーが小さかったようだ。 大きくしてみたが、それだけではなく2μsecの発振波形が乗る。 回路のf特を下げるといくらか良くなるが、 特定の周波数だけで動作するような回路になってしまうため、 さらなる検討が必要。 10/19
回路検討の前に、フェライト磁石をアルミ箔で 覆ってみた。指を近づけるとやや暖かい感じはそのままだった。 オシロでアルミ箔の電圧を見ると50Vp-pくらいで、 各相のピークの合成波形になっていた。つまり３倍波になっている。 触ってもビリビリはしない。 アルミ箔の替わりに水を入れた厚さが2mm程度のビニル袋を乗せて 指を近づけても同様な感じはする。 アルミ箔や水では磁場が突き抜けてくるためスピンが反応するのだろう。 周波数を下げる検討をした結果、 やはりカップリングコンデンサーが小さかった。 親指程度のケミコンが必要であった。 さらにゲインを下げ、もっと鈍らせた。 発振回路の三相交流の位相もほぼ合った。 駆動してみるとバイアスに敏感で、うまく調整しないと 位相が合わなくなる。基準発振器の1/10程度まで下げる ことができた。電圧は400Vp-pは出る。 周波数を変更するとその度に調整する 必要が出てくるが、これでスピン応答を探すこととする。 この周波数だと指に伝わる感じが柔らかくなる気がする。 10/25
この低い周波数で10μFの積層セラミックコンデンサ1×1pの皮膜を 削ったものをフェライト磁石に近づけたが変化はない。 さらにこの近辺の周波数から基準発振器の1/3程度まで探ったが 特に気になる挙動は確認できない。 核磁気共鳴と核電気共鳴の応答周波数は違うのか? もう少し確認してみたい。 11/01
車庫の奥の棚に箱入りの台秤があり、開けてみたところ未使用品であった。 バネ式のフルスケール20Kgのもので、最小目盛りは50gである。 実験機とその駆動回路を乗せた鉄板ごと計量してみた。 4Kgであった。通電して重量変化を探ったが、大きな変化はない。 周波数と電圧を変化させると、ある周波数で目盛りの線幅の 1/10くらい、ほんのわずか重量が増えるところがある。 確認のため円偏向電磁場の回転方向を逆にしたいが、 フェライト磁石を反転させても同じ効果となる。 そこでＮ極を上にしてみた。するとその現象は起こらないようだ。 やはり、スピンが反応していると思えるが、重量が増えるというのは 期待とは裏腹で、さらなる検討を要する。 この台秤であれば40MHz級の大きいヒートシンクの実験装置も計量できる。 11/09
実験１２の上物を出してきて大きいヒートシンクに取り付け、ディスクを載せた。 かなりの手間が掛かるが、これを台秤で計量すると12.5Kgあった。 通電して、重量変化を探ったが、微少な変化もない。 やはりこの周波数ではスピンが反応しているとは言えない。 整然とした配置と配線とともにきれいな正弦波で位相も合っているのだが。 進展もなさそうなので、実験１２の装置は一旦片付けることにした。 ところで、スピン制御する円偏向電磁場の回転方向と重力場の方向について は知見も文献もない。 スピンは電磁場の回転方向を逆にし、磁石を反転させても同じ効果のはずだが、 どうも違うようにも思える。 これは実験して確かめるしかない。 11/15
実験１２の上物からディスクを外して実験１３の上物に載せ替えた。 電磁場の回転方向を逆(上から見て反時計回り)としフェライト磁石を正・反転させて 重量変化を探ったが、変化はない。やはり時計回りの電磁場に効果があるようだ。 三相交流発振回路の元々の配置は逆だったことになる。 11/23
三相交流発振回路から位相補正回路の配線２本を 入れ替え時計回りの電磁場にした。 そして磁石をＮ極を上にした。 １／２で異常発振する周波数のところで変化がある。 ちょうど２倍の周波数に相当している。 微弱な変化だが、これを見逃すと進歩につながらない。 11/29